ПРОЕКТИРОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЯГОВОГО ПРИВОДА В начале 1990-х годов начались разработки в области тяговых преобразователей на биполярных транзисторах с изолированным затвором (IGBT), уже достаточно широко применявшихся в промышленности. Преимущества этих силовых полупроводниковых приборов заключаются в повышенной механической прочности, надежности и малых затратах на схемы управления и их монтаж. Эти новые элементы тяговых преобразователей должны в перспективе вытеснить силовые диоды, обычные и запираемые тиристоры.
| 